图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 TIP2955, 3055 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Package Change 09/Mar/2012 |
| 标准包装 | 30 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 15A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 3V @ 3.3A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 4A, 4V |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 频率转换 | 2.5MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-218-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-93 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3SOT-93 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 15 A |
| 最小直流电流增益 | 20@4A@4V|5@10A@4V |
| 最大工作频率 | 2.5(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.1@400mA@4A|3@3.3A@10A V |
| 最大集电极基极电压 | 100 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 90000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 15 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 90000 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| Maximum Transition Frequency | 2.5(Min) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 15A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 2.5MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 3.3A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 功率 - 最大 | 90W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 4A, 4V |
| 其他名称 | TIP3055GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.1 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 |
| 增益带宽产品fT | 2.5 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1.5 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 15 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 7 V |
| 频率（最大） | 2.5 MHz |
| 功率耗散 | 90 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | SOT-93 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 20 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 2.5 MHz |
| 直流电流增益 | 20 |
| 集电极电流（DC ） | 15 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
| Transition Frequency ft | :2.5MHz |
| 功耗 | :90W |
| DC Collector Current | :15A |
| DC Current Gain hFE | :70 |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0.004 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Collector | 15A |
| Current,Gain | 5 |
| PackageType | SOT-93(TO-218) |
| 极性 | NPN |
| PowerDissipation | 90W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 1.39°C/W |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 60V |
| Voltage,CollectortoBase | 100V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 60V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 3V |
| Voltage,EmittertoBase | 7V |
| 案例 | TO247 |
| Transistor type | NPN |
| 功率 | 90W |
| 极化 | bipolar |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 60V |
| Gross weight | 8.13 g |
| Collector current | 15A |
| Collective package [pcs] | 30 |
| spg | 30 |
| associated | NTE392 |
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